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Title

磁場退火對非晶質合金Co-Fe-Zr-B 軟磁性質之影響

Creator

陳顯光

Description

[[abstract]]本實驗於矽基板上經由不同氧含量O2 / Ar氣氛下以直流濺鍍法濺鍍Co-Fe-Zr-B靶與Al靶,製作非晶質合金薄膜,討論氣氛、Al含量及熱處理對薄膜結構、磁化及磁阻特性之影響。 經XRD分析知以不同濺鍍參數所濺鍍之初鍍膜與磁場退火後薄膜之組織中均未有明顯之結晶相生成,為非晶結構。Co-Fe-Zr-B薄膜之抗磁力高達61 Oe。隨薄膜中Al含量增加,薄膜之抗磁力下降,Al含量為25%時,抗磁力只有15 Oe。初鍍膜經200℃/2hr熱處理後,其磁化曲線有較高之角形比;飽和磁場及抗磁力下降。Co-Fe-Zr-B-Al初鍍膜只表現出很弱之磁阻效應,其磁阻比值<0.05%。熱處理後,薄膜之磁阻行為並未明顯改變。 O2含量0.13?0.66 Vol%之O2 / Ar氣氛下濺鍍含18 at%Al之Co-Fe-Zr-B-Al-O初鍍膜,其磁化行皆為兩磁性相表現,且抗磁力隨氣氛中O2含量增加而下降。經磁場退火後,薄膜易磁化相抗磁力減少。O2含量<0.66%氣氛製作之Co-Fe-Zr-B-Al-O薄膜並未有明顯之磁阻效應。當氧含量高達1.64%時薄膜之磁阻比值高達53%。濺鍍氣氛中O2含量對薄膜磁阻行為之影響可歸究於薄膜的氧化。經200℃/2hr熱處理後,O2含量<0.83%氣氛下製作之薄膜,其磁阻效應仍小,但O2含量為1.64%時之薄膜,其磁阻比值則增為84%。

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