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[[abstract]]本研究以可溶性之金屬醋酸鹽及硝酸鹽化合物為原料,去離子水及無水酒精互相混合作為溶劑,在常壓下以浸鍍法配合有機金屬熱分解法,經適當熱處理,在矽晶片上沉積鈣鈦礦結構之La1-xAxMnO3-x (A=Ca、Sr、Ba)氧化物系薄膜。由實驗得知,溶液之溶質總克數2克,浸鍍速度100mm/min所製備出之薄膜表面品質較好。由X-光繞射圖知,薄膜經650℃熱分解後,已有鈣鈦礦結構產生。隨後續緻密化熱處理溫度增高,薄膜顯微組織愈加緻密化。 La-Ca-Mn-O薄膜於室溫下並無鐵磁性,...
[[abstract]]本研究利用二氧化鈦塗佈之不銹鋼網進行光催化反應降解亞甲基藍水溶液。鋼網製作是使用奈米級二氧化鈦粉末加入乙基纖維素結合形成鍍膜液,將完成的鍍膜液浸鍍在鋼網片,放置於光催化反應器以分解溶液中的染料。利用上述鋼網在光源照射下,進行對亞甲基藍水溶液光催化反應,探討不同光源、鋼網片數、擺放方式及反應物濃度等反應條件,評估鋼網型觸媒對亞甲基藍之光催化效能。本研究使用的二氧化鈦粉末與鍍膜液經由XRD鑑定為銳鈦礦,經公式換算觸媒粒徑約30nm-50nm,粉末之比表面積BET為7.90m2...
[[abstract]]本實驗提出一種簡單、低成本且高產量的浸鍍法(immersion plating)製作金奈米晶體(gold nanocrystal),並完成金氧半電容(MOSC)結構的非揮發記憶體。在沉積金奈米晶體後快速熱退火為了改善金粒與矽的介面。以氧化鑭當作控制介電層,藉以提升寫入/抹除速度, 利用高溫氧化法在矽上成長二氧化矽當作穿遂氧化層,厚度為5、7奈米,接著低壓沉積非晶矽,厚度為2奈米,此層作為浸鍍法行氧化還原反應時矽原子的來源,浸鍍液成分為四氯化金酸/氫氟酸濃度為0.48mM/...
[[abstract]]本實驗提出一種簡單、低成本且高產量的浸鍍法(immersion plating)製作金奈米晶體(gold nanocrystal),並完成金氧半電容(MOSC)結構的非揮發記憶體。在沉積金奈米晶體後快速熱退火為了改善金粒與矽的介面。以氧化鑭當作控制介電層,藉以提升寫入/抹除速度, 利用高溫氧化法在矽上成長二氧化矽當作穿遂氧化層,厚度為5、7奈米,接著低壓沉積非晶矽,厚度為2奈米,此層作為浸鍍法行氧化還原反應時矽原子的來源,浸鍍液成分為四氯化金酸/氫氟酸濃度為0.48mM/...
[[abstract]]本研究以可溶性之金屬醋酸鹽及硝酸鹽化合物為原料,去離子水及無水酒精互相混合作為溶劑,在常壓下以浸鍍法配合有機金屬熱分解法,經適當熱處理,在矽晶片上沉積鈣鈦礦結構之La1-xAxMnO3-x (A=Ca、Sr、Ba)氧化物系薄膜。由實驗得知,溶液之溶質總克數2克,浸鍍速度100mm/min所製備出之薄膜表面品質較好。由X-光繞射圖知,薄膜經650℃熱分解後,已有鈣鈦礦結構產生。隨後續緻密化熱處理溫度增高,薄膜顯微組織愈加緻密化。 La-Ca-Mn-O薄膜於室溫下並無鐵磁性,...
[[abstract]]本研究以可溶性之金屬醋酸鹽及硝酸鹽化合物為原料,去離子水及無水酒精互相混合作為溶劑,在常壓下以浸鍍法配合有機金屬熱分解法,經適當熱處理,在矽晶片上沉積鈣鈦礦結構之La1-xAxMnO3-x (A=Ca、Sr、Ba)氧化物系薄膜。由實驗得知,溶液之溶質總克數2克,浸鍍速度100mm/min所製備出之薄膜表面品質較好。由X-光繞射圖知,薄膜經650℃熱分解後,已有鈣鈦礦結構產生。隨後續緻密化熱處理溫度增高,薄膜顯微組織愈加緻密化。 La-Ca-Mn-O薄膜於室溫下並無鐵磁性,...
[[abstract]]摘要 本論文為第一個使用浸鍍法(Immersion plating)去製作金的奈米線,利用電子束微影(E-beam lithography)來定義出單晶矽(c-Si)奈米線,使用浸鍍法來置換金的奈米線,我們使用不同的金莫耳濃度(3.8mM~1.1mM)、不同的氫氟酸(HF)莫耳濃度(495mM~49.5mM)和不同的溫度(室溫~70℃)來沉積金的奈米線;另外再以光學黃光微影來製作微米級的金導線,也是使用上述條件來沉積金的微米線,再使用掃描式電子顯微鏡(SEM)、穿透式電子...
[[abstract]]摘要 本論文為第一個使用浸鍍法(Immersion plating)去製作金的奈米線,利用電子束微影(E-beam lithography)來定義出單晶矽(c-Si)奈米線,使用浸鍍法來置換金的奈米線,我們使用不同的金莫耳濃度(3.8mM~1.1mM)、不同的氫氟酸(HF)莫耳濃度(495mM~49.5mM)和不同的溫度(室溫~70℃)來沉積金的奈米線;另外再以光學黃光微影來製作微米級的金導線,也是使用上述條件來沉積金的微米線,再使用掃描式電子顯微鏡(SEM)、穿透式電子...